반응형 식각장비 #식각공정 #Dry Etcher1 반도체 공정 - Dry Etcher 분류와 장비 산업 동향 Dry Etcher은 플라즈마를 이용해 식각 하는 방식입니다. 플라즈마를 발생시키는 방식은 RF, DC 등이 있으나 주로 RF 플라즈마를 사용합니다. RF 플라즈마는 Plasma source의 구동 방식에 따라 대표적으로 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 방식과 ICP(Inductively Coupled Plasma) 방식으로 나뉩니다. ■ CCP 방식 챔버 내에 웨이퍼가 위치하는 하부전극과 상단부에 위치한 전극 사이 전력을 인가해 형성되는 축전 전기장에 의해 플라즈마를 발생시킵니다. 두 전극 사이에 플라즈마가 형성되므로 균일도(Uniformity)가 좋은 것이 장점입니다. 플라즈마이동방향이 웨이퍼 방향을 향하게 되기 때문에 화학적인 식각뿐만 아니라 이온의 운동에너지를 이용한 물.. 2022. 8. 13. 이전 1 다음 반응형