반응형 싱귤레이션#Singulation#블레이드 다이싱(Blade Dicing)#DBG(Dicing before Grinding)# 레이저 스텔스 다이싱(Laser Stealth Dicing)1 반도체 기초 - 싱귤레이션(Singulation) 웨이퍼는 반도체 칩이 되기까지 세 번의 변화 과정을 거칩니다. 첫 번째 변화는 덩어리 상태의 잉곳(Ingot)이 슬라이스(Slice) 돼 웨이퍼가 되는 것이고, 두 번째는 전 공정을 통해 웨이퍼 전면에 트랜지스터가 새겨지는 것이며, 마지막으로 패키징(Packaging) 공정에서 웨이퍼가 개별 반도체 칩으로 나뉨으로써 비로소 반도체 칩이 됩니다. 후공정에 해당하는 패키지 제조 공정에서는 웨이퍼를 육면체 모양의 개별 칩으로 나누는 다이싱(Dicing) 작업을 진행하는데, 이러한 웨이퍼의 개별칩화를 싱귤레이션(Singulation)이라고 합니다. ■ 싱귤레이션(Singulation) 웨이퍼 판을 하나하나의 직육면체로 만들기 위해 톱질(Sawing)하는 것을 다이싱(Dicing) 또는 다이 소잉(Die Sawi.. 2022. 7. 5. 이전 1 다음 반응형