반응형 이온주입#Ion Implantion#임플란터#Implanter1 반도체 전공정 - 이온주입(Ion Implantion)공정 임플란트(Ion Implantation) 공정은 Doping 공정이라고도 하며 웨이퍼에 이온(Dopant)을 주입시켜 전기적 특성을 갖게 하는 공정이다. 4족의 실리콘에 3족 또는 5족 원소를 첨가시켜 각각 P형과 N형 반도체를 생성시키는 과정이다. ■ 이온주입 공정 정의 및 Flow 반도체 초기 단계에서는 화학공정을 통한 Doping을 했다. Dopant 원자를 포함한 가스 등을 주입시키고 열을 가해 웨이퍼 내부로 확산(Diffusion) 시키는 방법을 주로 사용했다. 반면, 임플란트 공정의 경우 화학공정이 아닌 실리콘 격자 사이에 강한 에너지의 이온을 타격해 물리적으로 삽입시키는 것이 특징이다. ■ 임플란트 공정의 진행 방식 먼저 주입하고자 하는 Gas를 필라멘트에 노출시킨 뒤 필라멘트에 전류를 흘려.. 2022. 6. 19. 이전 1 다음 반응형