반응형 CVD #PECVD #원익IPS #테스1 반도체 장비 - PE-CVD(Plasma enhancement CVD)장비 반도체 전(前) 공정 장비로 웨이퍼 표면에 원료가 되는 가스를 공급한 뒤 열과 플라스마를 이용해 화학적 반응을 일으켜 산화막과 금속막 등을 증착시키는 장비로 고난도의 기술을 필요합니다. 반응 에너지의 원천을 플라즈마로 함으로써 열에 대한 의존도를 크게 낮춰 저온공정이 가능하다는 장점이 있습니다. 또한, 열 이외의 다양한 공정 변수들을 조정할 수 있기 때문에 박막의 두께, Stress, 밀도 등을 컨트롤할 수 있는 장점이 있습니다. ■ PE CVD 장비 PE-CVD를 이용한 SiO2 증착은 0.1 ~ 5.0 Torr의 압력과 350 ~ 400도의 공정조건으로 0.1~10 Torr 압력과 400 ~ 900도였던 LP-CVD 대비 낮은 압력과 공정 온도를 가지며 Si3N4의 경우에도 400도 전후로 LP-CV.. 2022. 10. 19. 이전 1 다음 반응형