반응형 DRAM 소자#3D DRAM#Capacitor#High-K Metal gate#EUV 서플라이체인1 반도체 - DRAM 소자의 발전 방향 DRAM의 현재 구조는 트랜지스터 상부에 수직으로 Capacitor를 쌓은 구조로 발달해왔습니다. Bit line을 공유하는 구조를 통해 6F2의 표면적 최적화를 달성했으나, 더 이상의 수평구조상 변경은 설계 및 공정의 한계로 불가능합니다. 현재의 구조를 유지한 채 종횡비만을 올리기에는 한계에 달하면서 향후 DRAM의 구조의 3D DRAM으로의 논의가 시작되고 있습니다. ■ 3D로의 구조와 Capacitor 소재의 변화 ■ 3D DRAM 3D DRAM의 경우 적층의 방식이 Si/SiGe Epitaxy 등을 이용한 단결정 적층 방식이 될 가능성이 높습니다. Si/SiGe Selective Etching은 HF/H2O2/CH3COOH를 이용한 WetEtching 방식이 유력합니다. HF와 H2O2는 솔브레인.. 2022. 7. 1. 이전 1 다음 반응형