반응형 DryStrip #Ashing1 반도체 공정 - Dry Strip(Ashing) Dry Strip 공정은 노광과 식각이 끝난 이후 PR을 제거하는 공정으로 Ashing 공정이라고도 합니다. 박막을 제거한다는 의미에서 광의의 Etching에 속하며, 방식 또한 플라즈마를 사용하게 됩니다. 주로 사용하는 플라즈마는 산소(O2) 또는 SF6/O2 플라즈마인데 O2 플라즈마가 유기물의 연결고리를 끊고, 벤젠고리 마저 끊어서 Strip 이후 세정 과정을 거치면 완벽하게 지워지도록 하는 원리입니다. ■ Dry Strip(Ashing) PR Strip 과정 중의 플라즈마가 이미 Etching이 끝난 웨이퍼 표면을 손상시키지 않아야 하기 때문에 고난도의 플라즈마 컨트롤을 요구하는 공정입니다. O2 플라즈마의 소스 또한 기존 Etching 공정과 동일 RIE(Reactive Ion Etching),.. 2022. 9. 22. 이전 1 다음 반응형