반응형 Etching Gas1 반도체 - Etching Gas 개요 및 동향 Dry Etching의 원리는 기본적으로 Etching Gas가 박막과 반응해 박막의 고체 물질이 기체로 바뀌어 날아가는 원리입니다. 대표적으로 가장 많은 비중을 차지하는 유전체인 SiO2의 Dry Etching Schrme (Dielectric Dry Etching)은 두 가지 코스의 메커니즘의 복합으로 이뤄집니다. ■ Dielectric Dry Etching의 메커니즘 ■ 첫 번째 메커니즘 1) CF계의 Etching 가스가 Dry Etcher 내에서 플라즈마화 되며 CxFY 라디컬을 형성한다. 2) CxFy 라디칼이 SiO2 박막과 반응해 박막 표면에 C2F4와 같은 CxFy계 폴리머 막질을 형성한다. (Chemical Vapor Deposition과 같은 원리) 3) 폴리머 막질이 SiO2과 결합.. 2022. 8. 16. 이전 1 다음 반응형