반응형 Photo Resist#Positive PR#Negative PR#Novolak1 반도체 소재 - PR(Photo Resist) PR은 빛과의 반응성을 기반으로 웨이퍼 표면에 회로 패턴을 구현하게 하는 화학물질입니다. 빛과의 노출 여부를 기준으로 용해되어 없어지거나 또는 잔존하게 되며, 잔존되어 있는 부분은 이후 Etching 공정에서 웨이퍼 표면을 보호하는 역할을 하게 됩니다. ■ PR(Photo Resist) 기본 개념 PR은 빛을 받은 부위가 현상액에 의해 녹는 경우를 Positive Resist, 빛을 받은 부분만이 보존되고 주변부가 녹는 경우를 Negative Resist로 분류할 수 있습니다. 반도체 노광공정에서는 고해상도 패턴 형성에 유리한 Positive Resist를 주로 사용합니다. PR의 종류는 재료와 동작 원리에 따라 크게 Novolak-DNQ계 Resist와 화학 증폭형 Resist(CAR, Chemical.. 2022. 6. 21. 이전 1 다음 반응형