반응형 Wet Etching #Wet Etchant1 반도체 - Wet Etchant 개요 및 동향 Wet Etching은 액체 상태의 화합물인 Wet Etchant를 통해 목표로 하는 물질을 제거하는 공정입니다. Dry Etching 보다 Wet Etching을 하는 가장 큰 이유는 빠른 식각 속도(Etch Rate)와 높은 선택성(Selectivity) 때문입니다. 장비의 플라즈마 컨트롤에 대한 의존도가 높은 Dry Etching과 달리 Wet Etching의 속도와 원하는 선택비의 구현은 철저히 적합한 Etchant를 사용하는 데에 있습니다. ■ Wet Etchant 개요 및 동향 Wet Etching의 대표적인 예로, 3D NAND 공정에서의 SiO2/Si3N4 적층 구조 형성 이후 Si3N4를 선택적으로 제거하는 공정으로 선택성이 특히 높아야 하기 때문에 이를 HSN(High Selective.. 2022. 9. 8. 이전 1 다음 반응형