반응형 cvd1 반도체 장비 - HDP-CVD(HDP(High Density Plasma CVD)장비 HDP-CVD는 PE-CVD의 약점인 Step Coverage를 보완하기 위한 장비로 약 1m Torr 안팎의 낮은 압력에서 증착을 하는 장비입니다. HDP-CVD 공정에서는 이온 균일도, 조절의 용이함, 장비의 복잡성 등의 이유로 ICP가 주로 사용됩니다. ICP 플라즈마의 경우 플라즈마의 밀도와 에너지를 독립적으로 조절할 수 있는 특징이 있어 낮은 기압에서도 높은 에너지의 구현이 가능합니다. ■ HDP CVD 장비 ICP 방식의 특성상 웨이퍼 전극에 Bias를 인가할 수 있어 Deposition과 Sputtering을 반복하는 방식을 통해 High Aspect Ratio 형태의 Gap 또한 결함 없이 채울 수 있는 장점이 있습니다. Hole 입구에서의 증착으로 입구 부분이 좁아지게 되는 상황에서 Ar.. 2022. 10. 25. 이전 1 다음 반응형