반도체 공정 - 국내 NAND 관련 기업 분류 및 해당 사업 분야

NAND-관련-기업-분류

NAND의 Double stacking은 기존의 Single stacking 대비 HARC etching의 횟수가 2배로 늘어나고, Etching을 위한 Hardmask를 한 번씩 더 사용해야 합니다. 또한, Focus ring의 Plasma 노출 횟수도 Stacking 횟수에 비례해 증가하게 될 것입니다. 이에 국내 NAND 관련 기업에 대해 알아보겠습니다.

■ 국내 NAND 업체 및 사업분야

Oxide-Nitride 단수 증가에 따른 장비, 소재의 자연 증가도 기대되며, 공정에 사용되는 박막소재들의 수요도 비례해 증가할 전망입니다. 현재 100 단대의 NAND가 24년부터는 300 단대에 진입할 것으로 전망됩니다. 단수가 증가하는 가운데 칩 두께를 유지하기 위해서는 Vertical pitch는 24년 30nm대로 진입할 것으로 전망됩니다.

 

NAND가 200단 후반으로 진입하게 되면서 Cell당 Verticalpitch가 30nm대에 진입할 것으로 전망됩니다. 24년부터는 기존의 Word Line 배선 W(텅스텐)의 저항이 급격하게 올라가기 때문에 저항이 낮은 물질로 변경될 가능성이 높습니다.

 

● 테스

• 분야 - 장비
• 수혜분야 - Hardmask용 ACL PE-CVD
• 증장기 모멘텀 - Deck 수 증가(Double Stacking)

● 피에스케이

• 분야 - 장비
• 수혜분야 - Hardmask Stripper
• 중장기 모멘텀 - Deck 수 증가(Double Stacking)

● 티씨케이, 하나머티리얼즈

• 분야 - 부품
• 수혜분야 - Focus Ring
• 중장기 모멘텀 - HARC Etching 강도 증가

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● 원익 IPS

• 분야 - 장비
• 수혜분야 - ONStacking용 PE-CVD
• 중장기 모멘텀 - Oxide-Nitride Stack 수 증가

● 디엔에프, 덕산테코피아, 한솔케미칼, 오션브릿지

• 분야 - 소재
• 수혜분야 - ON Stacking용 Si Precursor, N2O
• 중장기 모멘텀 - Oxide-Nitride Stack 수 증가

● 주성엔지니어링, 유진테크, 원익 IPS

• 분야 - 장비
• 수혜분야 - W(텅스텐) ALD 장비
• 중장기 모멘텀 - Stack 간 Layer vertical pitch 감소

● 메카로

• 분야 - 소재
• 수혜분야 - Mo, Ru Precursor
• 중장기 모멘텀 - Stack 간 Layer vertical pitch 감소

● 한미반도체

• 분야 - 장비
• 수혜분야 - TC Bonder
• 중장기 모멘텀 - Wafer Bonding 방식의 확산

 

-미래에셋증권 리포트를 참고하여 작성하였습니다.