반도체 - 노드 기술(Technology Node)

 

반도체 노드 기술(Technology Node: 프로세스 노드, 프로세스 기술 또는 간단히 노드 )은 주어진 제조 공정을 사용하여 실리콘 웨이퍼에 생성할 수 있는 가장 작은 형상의 크기를 말합니다. 노드 크기는 일반적으로 나노미터(nm) 단위로 측정되며 반도체의 성능, 전력 소비 및 비용을 나타내는 주요 지표입니다.

■ 노드 기술(Technology Node)

역사적으로 반도체 노드는 주어진 제조 공정을 사용하여 생산할 수 있는 최소 형상 크기의 이름을 따서 명명되었습니다. 예를 들어 90nm 노드는 90nm만큼 작은 형상을 만들 수 있는 프로세스를 말합니다.

 

그러나 제조 공정이 복잡해짐에 따라 명명 규칙의 정확성이 떨어졌습니다. 평면 소자를 사용하던 옛날에는 명확한 구분이 가능한 용어였으나, FinFET 등 3D 소자와 Spacer Patterning 등의 기술이 도입된 현재는 명칭의 기준이 모호해졌습니다.

 

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오늘날 반도체 제조업체는 게이트 피치, 금속 피치 및 트랜지스터 밀도를 포함하여 제조 공정을 설명하기 위해 다양한 측정 기준을 사용합니다. 이러한 메트릭을 통해 노드 크기만 파악하는 것보다 프로세스의 기능을 더 정확하게 파악할 수 있습니다.

 

현재 기술 노드는 3nm에서 180nm까지 다양하며, 7nm와 5nm는 스마트폰과 노트북과 같은 가전제품에 가장 많이 사용됩니다. 2023년 현재 가장 최첨단 공정(3nm)으로 집적회로를 제조할 수 있는 회사는 인텔 , 삼성 , TSMC 3개 회사뿐입니다.

 

더 작은 기술 노드는 더 높은 성능, 더 낮은 전력 소비, 트랜지스터당 더 낮은 비용 등 여러 이점을 제공합니다. 그러나 기술 노드가 감소함에 따라 제조는 점점 더 어려워지고 비용이 많이 들며 새로운 재료, 장비 및 제조 기술이 필요합니다.