반응형 분류 전체보기80 반도체 전공정 - 건식 식각(Dry Etching)공정 건식 식각은 전기장에 의해 생성된 플라즈마를 이용한다는 공통점이 있으나, 반응물의 종류와 플라즈마 가속의 유무에 따라 Physical Dry Etching, Chemical Dry Etching, Reactive Ion Etching(RIE)로 분류할 수 있다. ■ 건식 식각 세부 분류 ■ Physical Dry Etching 비활성 기체(Ar 등)의 플라즈마에 높은 운동에너지를 가해 대상에 물리적으로 충돌, 화학결합을 끊어 제거하는 방식이다. ICP(Inductively Coupled Plasma) Etcher로 Ar을 플라즈마화 시키고, 웨이퍼를 향해 Bias를 가해 Ar+ 이온이 강하게 부딪히는(Ion Bomardment) 환경을 조성해준다. Ar+이온이 대상에 물리적으로 가해지기 때문에 Sputt.. 2022. 6. 18. 반도체 전공정 - 식각(Etching)공정 식각(Etching) 공정은 회로 패턴 형성을 위해 필요 없는 부분을 선택적으로 제거하는 공정입니다. 식각의 매개체로 가스를 사용하는 식각은 건식 식각(Dry Etching)이라고 하며, 액상 화학물질 (Etchant)을 사용하는 식각을 습식 식각(Wet Etching)이라고 합니다. ■ 습식 식각 vs 건식 식각 ■ 습식 식각의 특징 신속성: 액체상태의 반응이기 때문에 반응물의 밀도가 낮은 기체 반응인 건식 식각 대비 속도(Etch rate)가 빠릅니다. 높은 선택성(Selectivity): Etchant의 화학반응에만 의존해 반응하기 때문에 대상 물질의 조성에 따라서 식각 되는 정도를 조절 가능합니다. 경제성: Etchant에 대한 의존도가 높기 때문에 장비에 대한 의존도가 상대적으로 낮고 다수의 기.. 2022. 6. 18. 반도체 전공정 - 노광(Lithography)공정 노광 공정은 Wafer 위에 회로의 패턴을 형성하는 첫 번째 공정입니다. 빛에 반응하는 물질인 Photo Resist(PR)을 웨이퍼에 코팅한 후 패턴이 새겨진 Photo Mask에 빛을 통과시키면 통과한 빛에 노출된 PR은 특성이 바뀌게 되는데 이후 화학적 처리과정을 거치면 빛에 노출된 부분 또는 노출되지 않은 부분만 제거되며 패턴이 형성됩니다. ■ 노광 공정 FLOW ■ 전처리(HMDS 처리) 직전공정을 마친 이후 H2O2와 H2O 등으로 Cleaning 과정을 거치게 되는데, 그때 Wafer 표면이 친수성으로 변하게 됩니다. PR은 유기물이기 때문에 친수성 표면에서는 흡착력이 약할 수 있습니다. HMDS를 도포해 표면을 소수성(Hydrophobic)으로 변화시켜주는 과정이 필요합니다. ■ PR도포 .. 2022. 6. 17. 반도체 - 웨이퍼(Wafer)란? Wafer(웨이퍼)는 표면에 반도체 소자가 집적되는 핵심소재로, 주로 실리콘 재료의 실리콘 Wafer를 의미한다. 실리콘의 결정 성장 방향에 (111), (100), (110) 등으로 분류할 수 있는데, 이 중 CMOS 기반의 반도체는 (100) 스펙을 사용한다. 화학적, 전기적으로 안정하며, 트랜지스터 집적 이후 전자의 이동도(Mobility)가 높기 때문이다. 또한, Ingot 성장부터 3족 원소를 투입한 P-Type Wafer를 주로 사용한다. ■ Wafer의 종류 CMOS 집적 과정에서 NMOS 형성에 따로 P-Well을 형성하기 위한 Ion Implantation 과정을 하지 않아도 되기 때문이다. 즉, 반도체용 Wafer는 P-type (100)를 주로 사용한다. Wafer는 표면처리 유무에 .. 2022. 6. 16. 이전 1 ··· 17 18 19 20 다음 반응형
