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반도체 - 플라즈마(Plasma) 생성과 활용 플라즈마(Plasma)는 제4의 물질 상태라고 알려져 있는 물질의 형태입니다. 강력한 전기장 혹은 열원으로 가열되어 기체상태를 뛰어넘어 전자, 중성입자, 이온 등 입자들로 나누어진 상태입니다. 플라즈마의 생성은 가스 또는 가스 혼합물에 에너지를 공급하여 플라즈마라고 하는 고도로 이온화된 가스를 생성하는 프로세스입니다. 플라즈마를 생성하는 데 필요한 조건은 사용된 가스, 압력 및 사용된 에너지원 유형과 같은 다양한 요인에 따라 달라집니다. 플라즈마 생성에 일반적으로 필요한 몇 가지 주요 조건은 다음과 같습니다. ■ 플라즈마(Plasma) 생성 조건 가스(Gas): 플라즈마 생성에 사용되는 가스는 수소, 헬륨, 산소, 질소, 아르곤 또는 이들의 조합과 같이 이온화될 수 있는 가스 또는 가스 혼합물일 수 있습.. 2023. 3. 20.
반도체 - 반도체 전력 소자 반도체 전력 소자는 전력을 제어하거나 변환하도록 설계된 전자 부품이다. 이러한 장치는 전력 전자 장치, 재생 에너지, 전기 자동차 등을 포함한 광범위한 응용 분야에서 사용됩니다. ■ 반도체 전력 소자 반도체 전력 소자는 전기를 제어하고 전류를 흐르게 하는 소자로서 전자공학에서 매우 중요한 역할을 합니다. 대표적인 반도체 전력 소자로는 다이오드, 트랜지스터, Power MOSFET 등이 있습니다. ■ 다이오드(diode) 다이오드(Diode)는 전기적으로 양방향으로 전류를 흐르지 않도록 하는 반도체 소자입니다. 다이오드는 p-n 접합이라 불리는 두 개의 반도체 소자를 결합시킨 것으로 이루어져 있습니다. p-n 접합은 p형 반도체와 n형 반도체를 접합시켜 양자의 이동이 가능하게 하는 소자입니다. 다이오드는 .. 2023. 3. 16.
반도체 공정 - 박막(薄膜, thin film) 박막(薄膜,thin film)은 전자, 에너지, 항공우주 및 생체의학 응용을 포함한 다양한 분야에서 널리 사용됩니다. 예를 들어, 박막은 재료의 표면 특성을 개선하기 위한 코팅, 전자 장치의 전기 전도체 또는 절연체, 하드 디스크 드라이브의 자기 저장 매체, 화학반응의 촉매 및 부식 또는 산화를 방지하는 장벽으로 사용될 수 있습니다. ■ 박막(thin film) 박막의 특성은 증착 중에 제어할 수 있는 두께, 구성 및 구조에 따라 달라집니다. 박막은 금속, 플라스틱 및 세라믹을 포함한 광범위한 기판에 증착될 수 있으므로 다양한 응용 분야에 다용성을 제공합니다. 박막의 사용은 맞춤형 특성을 가진 고성능 재료를 필요로 하는 새로운 기술과 장치의 개발을 가능하게 했습니다. 박막은 일반적으로 수 나노미터에서 수.. 2023. 3. 13.
반도체 재료 - SiON(Silicon Oxynitride) SiON은 Silicon Oxynitride(실리콘 옥시나이트라이드)의 약자로, 반도체 산업에서 이용되는 재료 중 하나입니다. SiON은 SiO2 (실리콘 디옥사이드)와 비슷한 성질을 가지지만, 일부 산화물이 질소로 대체되어 있습니다. 이로 인해 SiON은 SiO2보다 높은 광학 및 전기적 특성을 가지며, 특히 CMOS 반도체 기술에서 박막 산화물로 많이 사용됩니다. 일반적으로 PECVD(플라즈마 강화 화학 기상 증착)라는 프로세스를 사용하여 증착됩니다. ■ SiON(Silicon Oxynitride) SiON은 높은 유전 상수를 가지고 있어 더 얇은 게이트 유전체를 생산할 수 있고 트랜지스터에서 더 빠른 스위칭 속도를 가능하게 합니다. 화질화규소는 화학 기상 증착, 졸-겔 공정 및 스퍼터링을 비롯한 다.. 2023. 3. 12.
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